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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥6.114265
10
¥5.768178
100
¥5.441673
500
¥5.133653
1000
¥4.843069
Nexperia USA Inc. BUK9Y65-100E,115
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- 对比
BUK9Y65-100E,115
1729-BUK9Y65-100E,115
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-100, SOT-669
大陆
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MOSFET N-CH 100V LFPAK
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BUK9Y65-100E,115详情
Nexperia USA Inc. BUK9Y65-100E,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
包装/外壳
SC-100, SOT-669
表面安装
YES
安装类型
表面贴装
引脚数
4
材料
Metal
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
64W Tc
Turn Off Delay Time
19.3 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2.1V @ 1mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
19A Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
已出版
2013
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
端子表面处理
Tin (Sn)
颜色
Black
附加功能
雪崩 额定
终端形式
鸥翼
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
8.1 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
63.3m Ω @ 5A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1523pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
14nC @ 5V
上升时间
13.6ns
Vgs(最大值)
±10V
下降时间(典型值)
12.6 ns
连续放电电流(ID)
19A
JEDEC-95代码
MO-235
栅极至源极电压(Vgs)
15V
最大双电源电压
100V
漏极-源极导通最大电阻
0.065Ohm
漏源击穿电压
100V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
76A
雪崩能量等级(Eas)
25.3 mJ
高度
15.875mm
直径
15.875mm
达到SVHC
not_compliant
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BUK9Y65-100E,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
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