GAN039-650NTBZ
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Nexperia USA Inc. GAN039-650NTBZ

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型号

GAN039-650NTBZ

utmel 编号

1729-GAN039-650NTBZ

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (

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GAN039-650NTBZ Nexperia USA Inc. 650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (

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GAN039-650NTBZ详情

Nexperia USA Inc. GAN039-650NTBZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad

  • 供应商器件包装

    CCPAK1212i

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    58.5A (Tc)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

    4.6V @ 1mA

  • Power Dissipation (Max)

    250W (Tc)

  • 厂商

    Nexperia USA Inc.

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • 包装

    Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®

  • 零件状态

    Discontinued at Digi-Key

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    39mOhm @ 32A, 10V

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1980 pF @ 400 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    26 nC @ 10 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    650 V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

0个相似型号

GAN039-650NTBZ拓展信息

BUK98150-55A/CUF
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Nexperia USA Inc.

NX3008NBKW,115
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Nexperia USA Inc.

BSH205G2R
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PMV40UN2R
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PMV65XP,215
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PSMN075-100MSEX
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Nexperia USA Inc.

BSN20BKR
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Nexperia USA Inc.

PMV30UN2R
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PMV250EPEAR
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Nexperia USA Inc.

NX3020NAKW,115
NX3020NAKW,115

Nexperia USA Inc.

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