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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥6.390664
10
¥6.028928
100
¥5.687666
500
¥5.365728
1000
¥5.062008
Nexperia USA Inc. PBSS4021SN,115
- 收藏
- 对比
PBSS4021SN,115
1729-PBSS4021SN,115
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
大陆
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TRANS 2NPN 20V 7.5A 8SO
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PBSS4021SN,115详情
Nexperia USA Inc. PBSS4021SN,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Collector-Emitter Breakdown Voltage
20V
hFEMin
300
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
150°C TJ
已出版
2010
JESD-609代码
e4
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
最大功率耗散
2.3W
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
PBSS4021S
引脚数量
8
极性
NPN
元素配置
Dual
功率 - 最大
2.3W
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
115MHz
晶体管类型
2 NPN (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
20V
最大集电极电流
7.5A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
250 @ 4A 2V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
275mV @ 375mA, 7.5A
转换频率
115MHz
最大击穿电压
20V
集电极基极电压(VCBO)
20V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
无
PBSS4021SN,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
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