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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥8.590643
10
¥8.104383
100
¥7.645639
500
¥7.212868
1000
¥6.804598
Nexperia USA Inc. PBSS4041SN,115
- 收藏
- 对比
PBSS4041SN,115
1729-PBSS4041SN,115
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
大陆
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TRANS 2NPN 60V 6.7A 8SO
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PBSS4041SN,115详情
Nexperia USA Inc. PBSS4041SN,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
60V
Number of Elements
2
hFEMin
300
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2010
JESD-609代码
e4
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
最大功率耗散
2.3W
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
130MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
PBSS4041SN
引脚数量
8
极性
NPN
元素配置
Dual
功率耗散
2.3W
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
130MHz
晶体管类型
2 NPN (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
60V
最大集电极电流
6.7A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
150 @ 4A 2V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
350mV @ 350mA, 7A
转换频率
130MHz
最大击穿电压
60V
集电极基极电压(VCBO)
60V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PBSS4041SN,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
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