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1

￥4.302233
10

￥4.058709
100

￥3.828973
500

￥3.612234
1000

￥3.407768

Nexperia USA Inc. PBSS4230PANP,115

Name: PBSS4230PANP,115
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1729-PBSS4230PANP,115
Price: 4.3 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

PBSS4230PANP,115

品牌

Nexperia USA Inc.

utmel 编号

1729-PBSS4230PANP,115

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列

封装

6-UDFN Exposed Pad

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

NEXPERIA - PBSS4230PANP,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, PNP, 30 V, 120 MHz, 2 W, 2 A, 150 hFE

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PBSS4230PANP,115 Nexperia USA Inc. NEXPERIA - PBSS4230PANP,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, PNP, 30 V, 120 MHz, 2 W, 2 A, 150 hFE

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PBSS4230PANP,115详情

技术参数

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型号对比

Nexperia USA Inc. PBSS4230PANP,115重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

8 Weeks
安装类型

表面贴装
包装/外壳

6-UDFN Exposed Pad
表面安装

YES
引脚数

6
晶体管元件材料

SILICON
Collector-Emitter Saturation Voltage

-75mV
Current-Collector (Ic) (Max)

2A
Number of Elements

2
操作温度

150°C TJ
包装

Cut Tape (CT)
已出版

2012
JESD-609代码

e3
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
终止次数

6
端子表面处理

Tin (Sn)
最大功率耗散

1.45W
引脚数量

6
极性

NPN, PNP
元素配置

Dual
箱体转运

COLLECTOR
功率 - 最大

510mW
晶体管应用

SWITCHING
增益带宽积

95MHz
晶体管类型

NPN, PNP
集电极发射器电压(VCEO)

30V
最大集电极电流

3A
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 1A 2V
最大集极截止电流

100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

290mV @ 200mA, 2A
转换频率

120MHz
频率转换

120MHz
集电极基极电压(VCBO)

30V
发射极基极电压 (VEBO)

7V
辐射硬化

无
RoHS状态

ROHS3 Compliant

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PBSS4230PANP,115拓展信息

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