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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.847517
10
¥3.629732
100
¥3.424274
500
¥3.230447
1000
¥3.047595
Nexperia USA Inc. PBSS4350SPN,115
- 收藏
- 对比
PBSS4350SPN,115
1729-PBSS4350SPN,115
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
大陆
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TRANS NPN/PNP 50V 2.7A 8SO
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PBSS4350SPN,115详情
Nexperia USA Inc. PBSS4350SPN,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Number of Elements
2
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2007
JESD-609代码
e4
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
最大功率耗散
1.43W
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
PBSS4350SPN
引脚数量
8
极性
NPN, PNP
元素配置
Dual
功率耗散
1.43W
功率 - 最大
750mW
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
NPN, PNP
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
2.7A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
300 @ 1A 2V / 180 @ 1A 2V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
340mV @ 270mA, 2.7A / 370mV @ 270mA, 2.7A
最大击穿电压
50V
集电极基极电压(VCBO)
50V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
接通时间-最大值(ton)
104ns
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
PBSS4350SPN,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
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Nexperia USA Inc.
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