Nexperia USA Inc. PBSS4350SSJ

工厂交货时间

4 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Collector-Emitter Saturation Voltage

240mV

Number of Elements

2

hFEMin

300

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

最大功率耗散

2W

终端形式

鸥翼

基本部件号

PBSS4350SS

引脚数量

8

极性

NPN

元素配置

Dual

功率 - 最大

750mW

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

2 NPN (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

2.7A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

300 @ 1A 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

340mV @ 270mA, 2.7A

最大击穿电压

50V

集电极基极电压(VCBO)

50V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

关断时间-最大值（toff)

520ns

接通时间-最大值(ton)

104ns

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅