PH7030AL,115
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Nexperia USA Inc. PH7030AL,115

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型号

PH7030AL,115

utmel 编号

1729-PH7030AL,115

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

SC-100, SOT-669

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 30V 76A LFPAK

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PH7030AL,115
PH7030AL,115 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 30V 76A LFPAK

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PH7030AL,115详情

Nexperia USA Inc. PH7030AL,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SC-100, SOT-669

  • 引脚数

    5

  • 供应商器件包装

    LFPAK56, Power-SO8

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    76A Tc

  • Turn Off Delay Time

    30 ns

  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

    2.15V @ 1mA

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    TrenchMOS™

  • 已出版

    2011

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最高工作温度

    175°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 最大功率耗散

    51W

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    51W

  • 接通延迟时间

    24 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    7mOhm @ 15A, 10V

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1270pF @ 12V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    22nC @ 10V

  • 上升时间

    39ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    30V

  • 下降时间(典型值)

    11 ns

  • 连续放电电流(ID)

    76A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏源击穿电压

    35V

  • 输入电容

    1.27nF

  • 漏源电阻

    7mOhm

  • 最大rds

    7 mΩ

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: Nexperia USA Inc. PH7030AL,115.

右边的3个型号有着和Nexperia USA Inc. & PH7030AL,115相似的参数规格。

  • 图片
    产品型号
    品牌
    Mount
    Package / Case
    Drain to Source Voltage (Vdss)
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    Continuous Drain Current (ID)
    Rds On Max
    Gate to Source Voltage (Vgs)
    Max Power Dissipation
    Power Dissipation
    查看对比:
  • PH7030AL,115

    PH7030AL,115

    Surface Mount

    SC-100, SOT-669

    30V

    76A (Tc)

    76 A

    7 mΩ

    20 V

    51 W

    51 W

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PH7030AL,115拓展信息

BUK98150-55A/CUF
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Nexperia USA Inc.

NX3008NBKW,115
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Nexperia USA Inc.

BSH205G2R
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PMV40UN2R
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PMV65XP,215
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PSMN075-100MSEX
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BSN20BKR
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PMV30UN2R
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PMV250EPEAR
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NX3020NAKW,115
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