Nexperia USA Inc. PHD38N02LT,118

工厂交货时间

26 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

44.7A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

57.6W Tc

Turn Off Delay Time

30 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

TrenchMOS™

已出版

2007

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.75

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

57.6W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

4 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

16m Ω @ 25A, 5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

800pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

15.1nC @ 5V

上升时间

12.5ns

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

23 ns

连续放电电流(ID)

44.7A

栅极至源极电压(Vgs)

12V

最大双电源电压

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.016Ohm

漏源击穿电压

20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

179A

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant