Nexperia USA Inc. PHKD13N03LT,518
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PHKD13N03LT,518
1729-PHKD13N03LT,518
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SOIC
--最小包装量--
PHKD13N03LT,518详情
Nexperia USA Inc. PHKD13N03LT,518重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
16 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
Turn Off Delay Time
23 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchMOS™
已出版
2011
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
2 (1 Year)
最大功率耗散
3.57W
引脚数量
8
接通延迟时间
6 ns
功率 - 最大
3.57W
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
20m Ω @ 8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
752pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
10.7nC @ 5V
上升时间
7ns
下降时间(典型值)
11 ns
连续放电电流(ID)
10.4A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
30V
场效应管特性
逻辑电平门
RoHS状态
符合RoHS标准
PHKD13N03LT,518拓展信息
Nexperia USA Inc.
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