Nexperia USA Inc. PHN203,518

工厂交货时间

16 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

表面安装

YES

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

21 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

TrenchMOS™

已出版

2010

JESD-609代码

e4

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

2 (1 Year)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

镍钯金

附加功能

逻辑电平兼容

最大功率耗散

2W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

8

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

接通延迟时间

5 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

30m Ω @ 7A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

560pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

14.6nC @ 10V

上升时间

6ns

下降时间（典型值）

11 ns

连续放电电流(ID)

6.3A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.03Ohm

漏源击穿电压

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

反馈上限-最大值 (Crss)

135 pF

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准