Nexperia USA Inc. PHN210T,118

工厂交货时间

16 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

表面安装

YES

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

21 ns

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

TrenchMOS™

已出版

2010

JESD-609代码

e4

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

附加功能

逻辑电平兼容

最大功率耗散

2W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

8

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

接通延迟时间

6 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

100m Ω @ 2.2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.8V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

250pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6nC @ 10V

上升时间

8ns

下降时间（典型值）

15 ns

连续放电电流(ID)

2.4A

阈值电压

2V

JEDEC-95代码

MS-012AA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3.4A

漏极-源极导通最大电阻

0.1Ohm

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

14A

双电源电压

30V

雪崩能量等级（Eas）

13 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

栅源电压

2 V

高度

1.45mm

长度

5mm

宽度

4mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅