Nexperia USA Inc. PHP29N08T,127

工厂交货时间

12 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

27A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

11V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

88W Tc

Turn Off Delay Time

15 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

TrenchMOS™

已出版

2009

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.75

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

88W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

9.5 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

50m Ω @ 14A, 11V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 2mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

810pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

19nC @ 10V

上升时间

70ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

9 ns

连续放电电流(ID)

27A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大双电源电压

75V

漏极-源极导通最大电阻

0.05Ohm

漏源击穿电压

75V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

108A

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant