注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.463682
10
¥2.324229
100
¥2.192672
500
¥2.068555
1000
¥1.951464
Nexperia USA Inc. PIMT1,115
- 收藏
- 对比
PIMT1,115
1729-PIMT1,115
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
SC-74, SOT-457
大陆
立即发货

TRANS 2PNP 40V 0.1A 6TSOP
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PIMT1,115详情
Nexperia USA Inc. PIMT1,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-74, SOT-457
引脚数
6
质量
4.535924g
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
40V
Collector-Emitter Saturation Voltage
200mV
Number of Elements
2
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
600mW
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
100MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
6
极性
PNP
元素配置
Dual
功率耗散
600mW
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
100MHz
晶体管类型
2 PNP (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
40V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
120 @ 1mA 6V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
200mV @ 5mA, 50mA
转换频率
100MHz
最大击穿电压
40V
集电极基极电压(VCBO)
50V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
高度
1mm
长度
3.1mm
宽度
1.7mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PIMT1,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.






哦! 它是空的。