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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥5.447149
10
¥5.138821
100
¥4.847945
500
¥4.573534
1000
¥4.314653
Nexperia USA Inc. PMBTA42DS,125
- 收藏
- 对比
PMBTA42DS,125
1729-PMBTA42DS,125
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
SC-74, SOT-457
大陆
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TRANS 2NPN 300V 0.1A 6TSOP
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PMBTA42DS,125详情
Nexperia USA Inc. PMBTA42DS,125重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-74, SOT-457
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
300V
Collector-Emitter Saturation Voltage
500mV
Number of Elements
2
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
700mW
终端形式
鸥翼
频率
50MHz
基本部件号
PMBTA42DS
引脚数量
6
极性
NPN
元素配置
Dual
功率耗散
700mW
功率 - 最大
420mW
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
50MHz
晶体管类型
2 NPN (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
300V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
40 @ 30mA 10V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 2mA, 20mA
转换频率
50MHz
最大击穿电压
300V
集电极基极电压(VCBO)
300V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
PMBTA42DS,125拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
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Nexperia USA Inc.
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