Nexperia USA Inc. PMCXB1000UEZ

工厂交货时间

4 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-XFDFN Exposed Pad

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

590mA Ta 410mA Ta

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2016

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

6

参考标准

IEC-60134

JESD-30代码

R-PDSO-N6

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

功率 - 最大

285mW Ta

场效应管类型

N and P-Channel Complementary

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

670m Ω @ 590mA, 4.5V, 1.4 Ω @ 410mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

950mV @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

30.3pF @ 15V 43.2pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1.05nC @ 4.5V, 1.2nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

30V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.59A

漏极-源极导通最大电阻

0.9Ohm

DS 击穿电压-最小值

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

RoHS状态

ROHS3 Compliant