Nexperia USA Inc. PMDPB56XNEAX

工厂交货时间

8 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-UDFN Exposed Pad

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.1A Ta

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2016

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

终端形式

无铅

参考标准

AEC-Q101; IEC-60134

JESD-30代码

R-PDSO-N6

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

功率 - 最大

485mW Ta

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

72m Ω @ 3.1A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.25V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

256pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

5nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3.1A

漏极-源极导通最大电阻

0.072Ohm

DS 击穿电压-最小值

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

RoHS状态

ROHS3 Compliant