Nexperia USA Inc. PMDPB58UPE,115

工厂交货时间

8 Weeks

表面安装

YES

包装/外壳

6-UDFN Exposed Pad

安装类型

表面贴装

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Turn Off Delay Time

41 ns

Number of Elements

2

已出版

2012

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

515mW

引脚数量

6

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

7 ns

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

67m Ω @ 2A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

950mV @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

804pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

9.5nC @ 4.5V

上升时间

15ns

漏源电压 (Vdss)

20V

下降时间（典型值）

14 ns

连续放电电流(ID)

3.6A

栅极至源极电压(Vgs)

8V

最大双电源电压

-20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

14.4A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无