Nexperia USA Inc. PMGD370XN,115

表面安装

YES

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

安装类型

表面贴装

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

740mA

Number of Elements

2

已出版

1997

系列

TrenchMOS™

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.75

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

引脚数量

6

JESD-30代码

R-PDSO-G6

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

410mW

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

440m Ω @ 200mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

37pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.65nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.74A

漏极-源极导通最大电阻

0.44Ohm

DS 击穿电压-最小值

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门