注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.757196
10
¥2.60113
100
¥2.453891
500
¥2.314994
1000
¥2.183954
Nexperia USA Inc. PMN30UNEX
- 收藏
- 对比
PMN30UNEX
1729-PMN30UNEX
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-74, SOT-457
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 20V 4.8A 6TSOP
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PMN30UNEX详情
Nexperia USA Inc. PMN30UNEX重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-74, SOT-457
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4.8A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
530mW Ta 4.46W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2016
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
引脚数量
6
参考标准
IEC-60134
JESD-30代码
R-PDSO-G6
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
36m Ω @ 4.8A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
558pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
9nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±8V
连续放电电流(ID)
4.8A
漏极-源极导通最大电阻
0.036Ohm
DS 击穿电压-最小值
20V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PMN30UNEX拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.







哦! 它是空的。