Nexperia USA Inc. PMN30UNEX
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PMN30UNEX
1729-PMN30UNEX
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-74, SOT-457
大陆
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MOSFET N-CH 20V 4.8A 6TSOP
1最小包装量--
PMN30UNEX详情
Nexperia USA Inc. PMN30UNEX重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-74, SOT-457
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
530mW Ta 4.46W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
900mV @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4.8A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V 4.5V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2016
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
参考标准
IEC-60134
JESD-30代码
R-PDSO-G6
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
36m Ω @ 4.8A, 4.5V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
558pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
9nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±8V
连续放电电流(ID)
4.8A
漏极-源极导通最大电阻
0.036Ohm
DS 击穿电压-最小值
20V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PMN30UNEX拓展信息
Nexperia USA Inc.
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