Nexperia USA Inc. PMPB13XNE,115

工厂交货时间

8 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-UDFN Exposed Pad

表面安装

YES

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Turn Off Delay Time

54 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

900mV @ 250μA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.7W Ta 12.5W Tc

已出版

2014

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

12 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

16m Ω @ 8A, 4.5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2195pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

36nC @ 4.5V

上升时间

30ns

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

49 ns

连续放电电流(ID)

8A

栅极至源极电压(Vgs)

650mV

最大双电源电压

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8A

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

32A

RoHS状态

ROHS3 Compliant