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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.73594
10
¥1.63768
100
¥1.54498
500
¥1.457528
1000
¥1.375026
Nexperia USA Inc. PMPB15XPZ
- 收藏
- 对比
PMPB15XPZ
1729-PMPB15XPZ
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-UDFN Exposed Pad
大陆
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MOSFET P-CH 12V SOT1220
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PMPB15XPZ详情
Nexperia USA Inc. PMPB15XPZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-UDFN Exposed Pad
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
8.2A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.7W Ta 12.5W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
6
参考标准
IEC-60134
JESD-30代码
S-PDSO-N6
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
19m Ω @ 8.2A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2875pF @ 6V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
100nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
12V
Vgs(最大值)
±12V
连续放电电流(ID)
8.2A
漏极-源极导通最大电阻
0.019Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
33A
DS 击穿电压-最小值
12V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PMPB15XPZ拓展信息
Nexperia USA Inc.
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