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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.913363
10
¥2.748452
100
¥2.592882
500
¥2.446116
1000
¥2.307659
Nexperia USA Inc. PMPB20ENZ
- 收藏
- 对比
PMPB20ENZ
1729-PMPB20ENZ
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-UDFN Exposed Pad
大陆
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PMPB11EN - 30 V, N-channel Trench MOSFET
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PMPB20ENZ详情
Nexperia USA Inc. PMPB20ENZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-UDFN Exposed Pad
表面安装
YES
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
7.2A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.7W Ta 12.5W Tc
Turn Off Delay Time
9 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2014
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
端子位置
DUAL
引脚数量
6
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
9 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
19.5m Ω @ 7A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
435pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
10.8nC @ 10V
上升时间
17ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
8 ns
连续放电电流(ID)
7.2A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
30V
漏极-源极导通最大电阻
0.0245Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
30A
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PMPB20ENZ拓展信息
Nexperia USA Inc.
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