Nexperia USA Inc. PMT560ENEAX

工厂交货时间

4 Weeks

表面安装

YES

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

安装类型

表面贴装

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

750mW Ta

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.1A Ta

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.7V @ 250μA

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

已出版

2016

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

附加功能

逻辑电平兼容

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

参考标准

AEC-Q101; IEC-60134

JESD-30代码

R-PDSO-G4

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

715m Ω @ 1.1A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

112pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

4.4nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1.1A

漏极-源极导通最大电阻

0.715Ohm

DS 击穿电压-最小值

100V

RoHS状态

ROHS3 Compliant