Nexperia USA Inc. PMV30UN2VL

工厂交货时间

4 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5.4A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

490mW Ta

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

900mV @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

TrenchMOS™

已出版

2017

零件状态

活跃

终止次数

3

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

参考标准

IEC-60134

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

32m Ω @ 4.2A, 4.5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

655pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

11nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±12V

JEDEC-95代码

TO-236AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4.2A

漏极-源极导通最大电阻

0.032Ohm

DS 击穿电压-最小值

20V

RoHS状态

ROHS3 Compliant