Nexperia USA Inc. PMZ250UN,315

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-101, SOT-883

表面安装

YES

引脚数

3

质量

4.535924g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.28A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Tc

Turn Off Delay Time

18.5 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

950mV @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

TrenchMOS™

已出版

2008

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

300MOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

4.5 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

300m Ω @ 200mA, 4.5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

45pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.89nC @ 4.5V

上升时间

10ns

Vgs（最大值）

±8V

下降时间（典型值）

5 ns

连续放电电流(ID)

2.28A

阈值电压

700mV

栅极至源极电压(Vgs)

8V

最大双电源电压

20V

漏源击穿电压

20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

4.56A

高度

470μm

长度

1.02mm

宽度

620μm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅