Nexperia USA Inc. PMZ350XN,315

表面安装

YES

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-101, SOT-883

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

2.5W Tc

Turn Off Delay Time

14 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1.5V @ 250μA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.87A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Number of Elements

1

系列

TrenchMOS™

已出版

2017

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

420MOhm

HTS代码

8541.29.00.75

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

6.5 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

420m Ω @ 200mA, 4.5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

37pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.65nC @ 4.5V

上升时间

9.5ns

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

5.5 ns

连续放电电流(ID)

1.87A

栅极至源极电压(Vgs)

12V

最大双电源电压

30V

漏源击穿电压

30V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅