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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.898841
10
¥2.734753
100
¥2.57996
500
¥2.433924
1000
¥2.296152
Nexperia USA Inc. PMZ390UN,315
- 收藏
- 对比
PMZ390UN,315
1729-PMZ390UN,315
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-101, SOT-883
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NEXPERIA - PMZ390UN,315 - MOSFET Transistor, N Channel, 200 mA, 30 V, 0.39 ohm, 4.5 V, 700 mV
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PMZ390UN,315详情
Nexperia USA Inc. PMZ390UN,315重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-101, SOT-883
表面安装
YES
引脚数
3
质量
453.59237mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1.78A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.5W Tc
Turn Off Delay Time
18 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
950mV @ 250μA
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchMOS™
已出版
2007
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
460MOhm
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
2.5W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
4 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
460m Ω @ 200mA, 4.5V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
43pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
0.89nC @ 4.5V
上升时间
7.5ns
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
4.5 ns
连续放电电流(ID)
1.78A
阈值电压
700mV
栅极至源极电压(Vgs)
8V
最大双电源电压
30V
漏源击穿电压
30V
高度
470μm
长度
1.02mm
宽度
620μm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
PMZ390UN,315拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
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