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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.43889
10
¥0.414048
100
¥0.390611
500
¥0.368501
1000
¥0.347642
Nexperia USA Inc. PMZB290UNE2YL
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- 对比
PMZB290UNE2YL
1729-PMZB290UNE2YL
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
3-XFDFN
大陆
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Mosfet Transistor, N Channel, 1.2 A, 20 V, 0.27 Ohm, 4.5 V, 700 Mv Rohs Compliant: Yes
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PMZB290UNE2YL详情
Nexperia USA Inc. PMZB290UNE2YL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
3-XFDFN
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1.2A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V 4.5V
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
950mV @ 250μA
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
350mW Ta 5.43W Tc
Turn Off Delay Time
11 ns
已出版
2015
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子位置
BOTTOM
终端形式
无铅
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
6 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
320m Ω @ 1.2A, 4.5V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
46pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
1.4nC @ 4.5V
上升时间
10ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
4 ns
连续放电电流(ID)
1.2A
栅极至源极电压(Vgs)
8V
DS 击穿电压-最小值
20V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PMZB290UNE2YL拓展信息
Nexperia USA Inc.
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