Nexperia USA Inc. PMZB370UNE,315

工厂交货时间

20 Weeks

触点镀层

Tin

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-XFDFN

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

900mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 4.5V

Turn Off Delay Time

54 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1.05V @ 250μA

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

360mW Ta 2.7W Tc

已出版

2012

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

零件状态

最后一次购买

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子位置

BOTTOM

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

715mW

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

11 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

490m Ω @ 500mA, 4.5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

78pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1.16nC @ 15V

上升时间

9ns

Vgs（最大值）

±8V

下降时间（典型值）

27 ns

连续放电电流(ID)

900mA

栅极至源极电压(Vgs)

8V

最大双电源电压

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.9A

漏极-源极导通最大电阻

0.49Ohm

漏源击穿电压

30V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无