Nexperia USA Inc. PSMN013-30MLC,115

工厂交货时间

26 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-1210, 8-LFPAK33

表面安装

YES

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

39A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

38W Tc

Turn Off Delay Time

9.6 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

引脚数量

8

参考标准

IEC-60134

JESD-30代码

R-PSSO-G4

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

38W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

7 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

13.6m Ω @ 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.95V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

519pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

8nC @ 10V

上升时间

9.8ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

5.5 ns

连续放电电流(ID)

39A

栅极至源极电压(Vgs)

1.95V

最大双电源电压

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.0169Ohm

漏源击穿电压

27V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

157A

雪崩能量等级（Eas）

5.6 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant