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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥6.152997
10
¥5.804713
100
¥5.476146
500
¥5.166177
1000
¥4.873753
Nexperia USA Inc. PSMN014-40YS,115
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- 对比
PSMN014-40YS,115
1729-PSMN014-40YS,115
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-100, SOT-669
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PSMN014-40YS - N-channel LFPAK 40 V, 14 m? standard level MOSFET
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PSMN014-40YS,115详情
Nexperia USA Inc. PSMN014-40YS,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-100, SOT-669
表面安装
YES
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
46A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
56W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
4V @ 1mA
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2010
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
14m Ω @ 5A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
702pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
12nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
40V
Vgs(最大值)
±20V
JEDEC-95代码
MO-235
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
183A
雪崩能量等级(Eas)
21 mJ
达到SVHC
not_compliant
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PSMN014-40YS,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
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