Nexperia USA Inc. PSMN022-30BL,118

工厂交货时间

12 Weeks

触点镀层

Tin

表面安装

YES

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

安装类型

表面贴装

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

30A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.15V @ 1mA

Turn Off Delay Time

17 ns

Power Dissipation (Max)

41W Tc

Number of Elements

1

已出版

2012

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~175°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

41W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

12 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

22.6m Ω @ 5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

447pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

9nC @ 10V

上升时间

29ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

7 ns

连续放电电流(ID)

30A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.0296Ohm

漏源击穿电压

30V

雪崩能量等级（Eas）

7 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

无铅

无铅