Nexperia USA Inc. PSMN028-100YS,115

工厂交货时间

12 Weeks

表面安装

NO

包装/外壳

SC-100, SOT-669

安装类型

表面贴装

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

42A Tc

Power Dissipation (Max)

89W Tc

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

33 ns

已出版

2010

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~175°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

89W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

15 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

27.5m Ω @ 15A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1634pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

33nC @ 10V

上升时间

14ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

12 ns

连续放电电流(ID)

42A

JEDEC-95代码

MO-235

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

100V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

30A

漏极-源极导通最大电阻

0.0275Ohm

漏源击穿电压

100V

雪崩能量等级（Eas）

68 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无