Nexperia USA Inc. PSMN030-60YS,115

工厂交货时间

12 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-100, SOT-669

表面安装

YES

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

29A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

56W Tc

Turn Off Delay Time

19 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2010

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

电阻

24.7MOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

终端形式

鸥翼

引脚数量

4

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

56W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

24.7m Ω @ 15A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

686pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

13nC @ 10V

上升时间

6ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

5 ns

连续放电电流(ID)

29A

JEDEC-95代码

MO-235

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

60V

漏源击穿电压

54V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

116A

雪崩能量等级（Eas）

23 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅