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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥11.194859
10
¥10.561188
100
¥9.963384
500
¥9.399419
1000
¥8.867377
Nexperia USA Inc. PSMN1R0-30YLDX
- 收藏
- 对比
PSMN1R0-30YLDX
1729-PSMN1R0-30YLDX
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-100, SOT-669
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MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PSMN1R0-30YLDX详情
Nexperia USA Inc. PSMN1R0-30YLDX重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-100, SOT-669
表面安装
YES
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
100A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
238W Tc
Turn Off Delay Time
43 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2.2V @ 2mA
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2015
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
附加功能
HIGH RELIABILITY
终端形式
鸥翼
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
32.4 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.02m Ω @ 25A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
8598pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
121.35nC @ 10V
上升时间
44.4ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
31.7 ns
连续放电电流(ID)
100A
JEDEC-95代码
MO-235
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
30V
漏源击穿电压
30V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PSMN1R0-30YLDX拓展信息
Nexperia USA Inc.
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