Nexperia USA Inc. PSMN1R0-40YLDX
- 收藏
- 对比
PSMN1R0-40YLDX
1729-PSMN1R0-40YLDX
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-100, SOT-669
大陆
立即发货

PSMN1R0 Series 40 V 1.1 mOhm 59 nC SMT N-Channel Logic Level MOSFET - LFPAK-56
1最小包装量--
PSMN1R0-40YLDX详情
Nexperia USA Inc. PSMN1R0-40YLDX重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-100, SOT-669
表面安装
YES
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
100A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
198W Tc
Turn Off Delay Time
65 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2.2V @ 1mA
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
已出版
2014
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
附加功能
HIGH RELIABILITY
终端形式
鸥翼
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
52 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.1m Ω @ 25A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
8845pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
127nC @ 10V
上升时间
62ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
38 ns
连续放电电流(ID)
100A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
40V
雪崩能量等级(Eas)
578 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
PSMN1R0-40YLDX拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.








哦! 它是空的。