Nexperia USA Inc. PSMN1R5-30BLEJ
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PSMN1R5-30BLEJ
1729-PSMN1R5-30BLEJ
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
1最小包装量--
PSMN1R5-30BLEJ详情
Nexperia USA Inc. PSMN1R5-30BLEJ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
12 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
表面安装
YES
引脚数
3
材料
Brass
质量
3.949996g
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
120A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
401W Tc
Turn Off Delay Time
191.8 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2.15V @ 1mA
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
终端
Crimp
终端形式
鸥翼
JESD-30代码
R-PSSO-G2
通道数量
1
镀层
Gold, Tin
元素配置
Single
线规(最大值)
24 AWG
线规(最小值)
20 AWG
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
100.6 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.5m Ω @ 25A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
14934pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
228nC @ 10V
上升时间
156.1ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
99.2 ns
连续放电电流(ID)
120A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
30V
漏源击穿电压
30V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
PSMN1R5-30BLEJ拓展信息
Nexperia USA Inc.
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