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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥17.680404
10
¥16.679626
100
¥15.735495
500
¥14.844806
1000
¥14.004536
Nexperia USA Inc. PSMN2R0-30YLE,115
- 收藏
- 对比
PSMN2R0-30YLE,115
1729-PSMN2R0-30YLE,115
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-100, SOT-669
大陆
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Mosfet Transistor, N Channel, 100 A, 30 V, 1700 Ohm, 10 V, 1.7 V Rohs Compliant: Yes
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PSMN2R0-30YLE,115详情
Nexperia USA Inc. PSMN2R0-30YLE,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-100, SOT-669
表面安装
YES
引脚数
4
材料
Metal
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
100A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
272W Tc
Turn Off Delay Time
41.5 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
端子表面处理
Tin (Sn)
颜色
Black
终端形式
鸥翼
引脚数量
4
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
272W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
32.7 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
2m Ω @ 25A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.15V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5217pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
87nC @ 10V
上升时间
55.7ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
29.5 ns
连续放电电流(ID)
100A
JEDEC-95代码
MO-235
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
30V
漏极-源极导通最大电阻
0.0035Ohm
雪崩能量等级(Eas)
370 mJ
直径
12.7mm
高度
15.875mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PSMN2R0-30YLE,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
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