Nexperia USA Inc. PSMN2R4-30MLDX

工厂交货时间

26 Weeks

表面安装

YES

包装/外壳

SOT-1210, 8-LFPAK33

安装类型

表面贴装

触点镀层

Tin

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.2V @ 1mA

Turn Off Delay Time

19 ns

Power Dissipation (Max)

91W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

70A Tc

已出版

2015

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~175°C TJ

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G4

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

91W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

15 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.4m Ω @ 25A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3264pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

51nC @ 10V

上升时间

23ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

13 ns

连续放电电流(ID)

70A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.0032Ohm

漏源击穿电压

30V

雪崩能量等级（Eas）

204 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无