Nexperia USA Inc. PSMN2R6-40YS,115

工厂交货时间

12 Weeks

表面安装

YES

包装/外壳

SC-100, SOT-669

安装类型

表面贴装

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Turn Off Delay Time

46 ns

Power Dissipation (Max)

131W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100A Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 1mA

包装

Digi-Reel®

操作温度

-55°C~175°C TJ

已出版

2009

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

131W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

24 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.8m Ω @ 25A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3776pF @ 12V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

63nC @ 10V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

100A

JEDEC-95代码

MO-235

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0028Ohm

漏源击穿电压

40V

最大结点温度（Tj）

175°C

高度

1.2mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

达到SVHC

not_compliant