Nexperia USA Inc. PSMN2R8-80BS,118

工厂交货时间

12 Weeks

表面安装

YES

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

安装类型

表面贴装

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

306W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

120A Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Turn Off Delay Time

109 ns

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~175°C TJ

已出版

2012

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

Tin (Sn)

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

306W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

41 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3m Ω @ 25A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

9961pF @ 40V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

139nC @ 10V

上升时间

43ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

44 ns

连续放电电流(ID)

120A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

80V

漏源击穿电压

80V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

824A

雪崩能量等级（Eas）

676 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant