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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥7.238717
10
¥6.82898
100
¥6.442429
500
¥6.077767
1000
¥5.733745
Nexperia USA Inc. PSMN2R9-25YLC,115
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- 对比
PSMN2R9-25YLC,115
1729-PSMN2R9-25YLC,115
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-100, SOT-669
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MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PSMN2R9-25YLC,115详情
Nexperia USA Inc. PSMN2R9-25YLC,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-100, SOT-669
表面安装
YES
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
100A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
92W Tc
Turn Off Delay Time
32 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
电阻
4.1MOhm
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
引脚数量
4
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
92W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
19.5 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.15m Ω @ 25A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.95V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2083pF @ 12V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
33nC @ 10V
上升时间
19ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
13 ns
连续放电电流(ID)
100A
JEDEC-95代码
MO-235
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
25V
漏源击穿电压
25V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
PSMN2R9-25YLC,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
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