Nexperia USA Inc. PSMN3R9-25MLC,115
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PSMN3R9-25MLC,115
1729-PSMN3R9-25MLC,115
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-1210, 8-LFPAK33
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PSMN3R9-25MLC - N-channel 25 V 4.15 m? logic level MOSFET in LFPAK33 using NextPower Technology
1最小包装量--
PSMN3R9-25MLC,115详情
Nexperia USA Inc. PSMN3R9-25MLC,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
26 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-1210, 8-LFPAK33
引脚数
8
供应商器件包装
LFPAK33
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
70A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
69W Tc
Turn Off Delay Time
15.6 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2.15V @ 1mA
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
功率耗散
69W
接通延迟时间
13 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.15mOhm @ 25A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1524pF @ 12.5V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
21.5nC @ 10V
上升时间
23.2ns
漏源电压 (Vdss)
25V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
9.8 ns
连续放电电流(ID)
70A
栅极至源极电压(Vgs)
1.95V
最大双电源电压
25V
漏源击穿电压
25V
输入电容
1.524nF
漏源电阻
6.35mOhm
最大rds
4.15 mΩ
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PSMN3R9-25MLC,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
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