Nexperia USA Inc. PSMN5R0-30YL,115

工厂交货时间

12 Weeks

表面安装

YES

包装/外壳

SC-100, SOT-669

安装类型

表面贴装

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.15V @ 1mA

Power Dissipation (Max)

61W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

91A Tc

已出版

2008

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~175°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5m Ω @ 15A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1760pF @ 12V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

29nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

91A

JEDEC-95代码

MO-235

漏极-源极导通最大电阻

0.008Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

336A

DS 击穿电压-最小值

30V

雪崩能量等级（Eas）

32 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

达到SVHC

not_compliant