注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥19.805474
10
¥18.684406
100
¥17.626799
500
¥16.629059
1000
¥15.687788
Nexperia USA Inc. PSMN7R0-100ES,127
- 收藏
- 对比
PSMN7R0-100ES,127
1729-PSMN7R0-100ES,127
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
大陆
立即发货

PSMN7R0-100ES - N-channel 100V 6.8 m? standard level MOSFET in I2PAK.
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PSMN7R0-100ES,127详情
Nexperia USA Inc. PSMN7R0-100ES,127重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
20 Weeks
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
100A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Turn Off Delay Time
103.9 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Power Dissipation (Max)
269W Tc
已出版
2010
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
元素配置
Single
功率耗散
269W
接通延迟时间
34.6 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
6.8m Ω @ 15A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
6686pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
125nC @ 10V
上升时间
45.6ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
49.5 ns
连续放电电流(ID)
100A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
100V
漏源击穿电压
90V
RoHS状态
符合RoHS标准
辐射硬化
无
PSMN7R0-100ES,127拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.







哦! 它是空的。