Nexperia USA Inc. PSMN7R0-60YS,115

工厂交货时间

12 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-100, SOT-669

表面安装

YES

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

89A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

117W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 1mA

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2010

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

6.4m Ω @ 15A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2712pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

45nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

JEDEC-95代码

MO-235

最大漏极电流 (Abs) (ID)

89A

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

356A

DS 击穿电压-最小值

60V

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant