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1

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10

￥282.7116
100

￥266.709054
500

￥251.612313
1000

￥237.370111

NXP USA Inc. MRF6S20010NR1

Name: MRF6S20010NR1
Brand: NXP USA Inc.
SKU: 1786-MRF6S20010NR1
Price: 299.67 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

MRF6S20010NR1

品牌

NXP USA Inc.

utmel 编号

1786-MRF6S20010NR1

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 射频

封装

TO-270AA

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans RF MOSFET N-CH 68V 3-Pin TO-270 T/R

起订量

--最小包装量--

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MRF6S20010NR1 NXP USA Inc. Trans RF MOSFET N-CH 68V 3-Pin TO-270 T/R

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MRF6S20010NR1详情

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NXP USA Inc. MRF6S20010NR1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

10 Weeks
包装/外壳

TO-270AA
表面安装

YES
晶体管元件材料

SILICON
Number of Elements

1
Operating Temperature (Max.)

225°C
Voltage Rated

68V
Usage Level

Military grade
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2005
JESD-609代码

e3
零件状态

不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)
终止次数

2
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Matte Tin (Sn)
HTS代码

8541.29.00.75
端子位置

DUAL
终端形式

FLAT
峰值回流焊温度（摄氏度）

260
频率

2.17GHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)

40
基本部件号

MRF6S20010
JESD-30代码

R-PDFM-F2
资历状况

不合格
配置

SINGLE
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

SOURCE
测试电流

130mA
晶体管应用

AMPLIFIER
极性/通道类型

N-CHANNEL
晶体管类型

LDMOS
增益

15.5dB
DS 击穿电压-最小值

68V
功率 - 输出

10W
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
电压-测试

28V
RoHS状态

ROHS3 Compliant

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MRF6S20010NR1拓展信息

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