NXP USA Inc. MRF8P9300HSR6
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MRF8P9300HSR6
1786-MRF8P9300HSR6
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
NI-1230S
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FET RF 2CH 70V 960MHZ NI-1230HS
1最小包装量--
MRF8P9300HSR6详情
NXP USA Inc. MRF8P9300HSR6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
10 Weeks
包装/外壳
NI-1230S
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Operating Temperature (Max.)
225°C
Voltage Rated
70V
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
零件状态
最后一次购买
湿度敏感性等级(MSL)
不适用
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.75
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
960MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MRF8P9300
JESD-30代码
R-CDFP-F4
资历状况
不合格
配置
COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
测试电流
2.4A
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
LDMOS (Dual)
增益
19.4dB
DS 击穿电压-最小值
70V
功率 - 输出
100W
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
电压-测试
28V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MRF8P9300HSR6拓展信息
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
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