ON Semiconductor 2N6031

Collector-Emitter Saturation Voltage

2 V

hFEMin

15

RoHS

Non-Compliant

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

200 W

极性

PNP

元素配置

Single

功率耗散

200 W

增益带宽积

1 MHz

集电极发射器电压(VCEO)

140 V

最大集电极电流

16 A

集电极基极电压(VCBO)

140 V

发射极基极电压 (VEBO)

7 V